親愛的電子愛好者和工程師朋友們，今天我們來深入了解江西樂天使微電子的爆款產品——S8050H三極管。

一、什么是S8050H？

S8050H是一款NPN型硅雙極型晶體管（BJT），屬于小信號晶體管類別。它是江西樂天使微電子精心打造的高性能三極管，廣泛應用于各類電子電路中。

結構特點

S8050H 是一款NPN 外延硅晶體管，具有低電壓和高電流能力，是推挽放大和通用開關應用的亮點。

S8050H三極管包含三層，其中一個 P 摻雜半導體層封裝在另外兩個 N 摻雜層之間。P摻雜層代表基極端，而其他兩層分別代表發射極和集電極。

S8050H三極管具有兩個 PN 結：正向偏置的發射極-基極結和反向偏置的集電極-基極結。

需要注意的是，S8050H 三極管必須在正向偏置模式下運行才能獲得更好的性能。如果晶體管沒有正向偏置，則無論在基極端子上施加多少電壓，都不會有集電極電流。

當在基極端施加電壓時，放大是一種簡單的方式，晶體管吸收小電流，然后用于控制其他端子的大電流。

二、S8050H三極管參數

S8050H三極管主要包含三個端子，即發射極、基極和集電極，用于與電子電路的外部連接，三個端子在摻雜濃度方面是不同的。

其中發射極是高度摻雜的，基極是輕摻雜的，而集電極是中摻雜的。前者控制電子數量，后者從基極收集電子數量。一個端子的小電流用于控制其它端子的大電流。

三、S8050H 的CAD 模型

S8050H三極管的封裝尺寸圖

四、S8050H 三極管特點

低電壓、大電流 NPN 晶體管

小信號晶體管

最大功率：0.3 W

最大直流電流增益 (hFE) 為 400

連續集電極電流 (IC) 為 800mA

基極-發射極電壓(VBE) 為 5V

集電極-發射極電壓 (VCE) 為 20V

集電極-基極電壓 (VCB) 為 30V

高 用于推挽配置 B 類放大器

SOT-23 封裝

五、S8050H工作原理講解

在 S8050H NPN 晶體管中，當基極接地時，發射極和集電極等兩個端子都將反向偏置，當向基極引腳提供信號時，它們將關閉（正向偏置）。

S8050H 三極管的最大增益值為 300，此值將決定放大能力，如果放大率很高，則將其用于放大。

但是，集電極電流的增益值將是 110，并且整個集電極端子的最大電流供應是 800mA，因此我們無法通過該晶體管通過 800mA 以上的電流來控制不同的負載。一旦向必須限制在 5mA 的基極引腳提供電流供應，晶體管就可以被偏置。

一旦該晶體管完全偏置，則它允許高達 800mA 的電流通過發射極和集電極端子提供，因此該階段稱為飽和區。VCE 或 VCB 上使用的典型電壓相應為 20V 和 30V。

一旦在晶體管的基極端移除電流源，它將被關閉，因此這個階段稱為截止區域。

在S8050H NPN 晶體管中，電子是主要的電荷載流子，與空穴是主要電荷載流子的 PNP 晶體管不同

基極相對于發射極更正，集電極上的電壓也必須比基極更正。

兩個電流增益因素：共發射極電流增益和共基極電流增益對決定晶體管的特性起著至關重要的作用。

共發射極電流增益是集電極電流和基極電流之間的比率，這稱為貝塔，用 β表示，通常在 20 到 1000 之間，但標準值取為 200。

同樣，共基極電流增益是集電極電流和發射極電流之間的比率，它被稱為阿爾法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之間，但大多數時候它的值被取為1。

六、S8050H 可以用什么型號替換？

江西樂天使微的S8050H三極管，以其卓越性能和多樣化應用，成為電子工程師的得力助手。無論您是在設計放大器、開關電路還是LED驅動，S8050H都將是您的理想之選。